收藏本站
RQ1A070ZP
Electrical characteristics (Ta=25 ° C)
Data Sheet
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
?
Typ.
?
Max.
± 10
Unit
μ A
Conditions
V GS =± 10V, V DS = 0V
Drain-source breakdown voltage V (BR) DSS
? 12
?
?
V
I D = ? 1mA, V GS = 0V
?
?
?
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
I DSS
V GS (th)
R DS (on)
Y fs ?
C iss
C oss
C rss
t d (on) ?
t r
t d (off) ?
t f
Q g ?
Q gs ?
Q gd ?
?
? 0.3
?
?
?
?
12
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
8
11
15
19
?
7400
800
750
35
95
310
190
58
11
10
? 1
? 1.0
12
16
23
38
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
μ A
V
m ?
m ?
m ?
m ?
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V DS = ? 12V, V GS = 0V
V DS = ? 6V, I D = ? 1mA
I D = ? 7A, V GS = ? 4.5V
I D = ? 3.5A, V GS = ? 2.5V
I D = ? 3.5A, V GS = ? 1.8V
I D = ? 1.4A, V GS = ? 1.5V
V DS = ? 6V, I D = ? 7A
V DS = ? 6V
V GS = 0V
f = 1MHz
V DD ? 6V
I D = ? 3.5A
V GS = ? 4.5V
R L 1.7 ?
R G = 10 ?
V DD ? 6V
I D = ? 7A
V GS = ? 4.5V
R L 0.86 ? / R G = 10 ?
? Pulsed
Body diode characteristics (Source-drain) (Ta=25 ° C)
Parameter
Forward voltage
Symbol
V SD ?
Min.
?
Typ.
?
Max.
? 1.2
Unit
V
Conditions
I S = ? 7A, V GS = 0V
? Pulsed
www.rohm.com
c 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2/4
2009.08 - Rev.A
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
RQ1E050RPTR MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
RRH040P03TB1 MOSFET P-CH 30V 4A SOP8
RRH050P03TB1 MOSFET P-CH 30V 5A SOP8
RRH075P03TB1 MOSFET P-CH 30V 7.5A SOP8
RRH100P03TB1 MOSFET P-CH 30V 10A SOP8
RRH140P03TB1 MOSFET P-CH 30V 14A SOP8
RRL025P03TR MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
RRQ030P03TR MOSFET P-CH 30V 3A TUMT6
相关代理商/技术参数
RQ1C065UN 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Nch MOSFET
RQ1C065UNTR 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin TSMT T/R Cut Tape
RQ1C075UN 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Nch MOSFET
RQ1C075UNTR 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin TSMT T/R Cut Tape
RQ1E050RP 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch MOSFET
RQ1E050RPTR 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
RQ1E070RP 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch MOSFET
RQ1E070RPTR 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MIDDLE POWER MOSFET SERIES - Tape and Reel 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin TSMT T/R Cut Tape 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8